한국항공우주연구원

MRAM의 경우 전하의 이동으로 정보를 저장하는 방식이 아닌 자성의 스핀을 활용하는 방식이므로, 메모리 셀이 방사선에 의하여 정보를 잃지 않으므로 구조 상 방사선으로 인한 단일 사건 효과에 둔감한 특성을 갖음. NASA, ESA 위성 프로그램에서 최근 기존 메모리를 MRAM으로 대체하여 위성에 적용 중이다. 그러나 해외 인증 제품 MRAM의 경우 셀 이외 구동부에 대하여 방사선에 대한 강건 설계가 이루어졌다. 국산 상용 MRAM의 구동부에 대해서 이광자흡수 방식을 통하여 MRAM 구동부의 방사선 취약점을 분석한 결과를 제공한다. 이를 통하여 전면 방사선 강건설계가 아닌, 취약점 방사선 강건설계를 적용하여 수월하게 방사선에 강인한 MRAM을 제작할 수 있다.




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